[发明专利]操作非易失性存储器装置的方法有效
| 申请号： | 200810074198.2 | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101256837A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 薛光洙;朴祥珍;李晟熏;朴星一;金钟燮;崔正达;崔奇焕;沈载星;文承炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种操作非易失性存储器装置执行擦除操作的方法。所述方法包括：将包括直流(DC)脉冲和DC微扰脉冲的组合脉冲施加于非易失性存储器装置，以执行擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种操作电荷陷阱存储器装置执行擦除操作的方法，所述方法包括：将包括DC脉冲和DC微扰脉冲的组合脉冲施加于电荷陷阱存储器装置，以执行擦除操作。
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