[发明专利]半导体存储装置的制造方法、再生方法、及再出货方法有效
| 申请号： | 200810080409.3 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101276644A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 藤井成久 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使重复进行信息数据的写入和删除，也能防止电荷保持特性的恶化的半导体存储装置的制造方法、再生方法以及再出货方法。该半导体存储装置由形成在半导体基板上的FET结构的多个存储单元构成，多个存储单元中的各个存储单元存储单位比特并保存信息数据，在该半导体存储装置的制造方法中，准备多个存储单元，并将信息数据的各比特写入到各存储单元内。然后，在将信息数据的各比特写入到各个存储单元内之后，将各个存储单元在规定的周围温度下放置规定时间，之后将信息数据的各比特写入到各个存储单元内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制造 方法 再生 出货 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置的制造方法，该半导体存储装置由形成在半导体基板上的FET结构的多个存储单元构成，上述多个存储单元中的各个存储单元存储单位比特而保存有信息数据，其特征在于，该制造方法具有：准备工序，准备上述多个存储单元；写入工序，将上述信息数据的各比特写入到上述各个存储单元内；烘干工序，在上述写入工序后，将上述各个存储单元在规定的周围温度下放置规定时间；以及再写入工序，在上述烘干工序后，将上述信息数据的各比特写入到上述各个存储单元内。
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