[发明专利]磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器无效
| 申请号： | 200810080432.2 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101252166A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 城后新;清水丰 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;H01F10/32;H01F10/16;G11B5/39;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种CPP型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由CoFeGe形成，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。还提供包括上述磁阻器件的磁头、磁存储设备及磁存储器。能获得较高的MR比，并提高输出电平。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 器件 磁头 存储 设备 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1、一种CPP型磁阻器件，包括：磁化被钉扎层；磁化自由层；以及非磁层，设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间；其中，所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层中的至少一个由CoFeGe形成，以及其中，所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、D的线段所限定的范围内，其中点A为(42.5，30，27.5)，点B为(35，52.5，12.5)，点C为(57.5，30.0，12.5)，点D为(45.0，27.5，27.5)，并且其中各坐标点由用原子百分比(at.％)表示的(Co，Fe，Ge)的含量百分比来表示。
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