[发明专利]液晶显示装置及其制造方法无效
申请号: | 200810080545.2 | 申请日: | 2008-02-21 |
公开(公告)号: | CN101251693A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 中堀正树;木村初美;后藤文弘;荒木利夫 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;陈景峻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可靠性、生产性优良并且高分辨率的有源矩阵型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具有形成在透明绝缘衬底(1)上的栅电极布线(2)、覆盖所述栅电极布线(2)的栅极绝缘膜(3)、形成在所述栅极绝缘膜(3)上的半导体层(10)、形成在所述半导体层(10)上的源电极(6b)、源极布线(6a)以及漏电极(7)、与所述漏电极(7)连接的像素电极(9)。在所述半导体层(10)中,构成TFT的TFT部(10b)、形成在所述源极布线(6a)与所述栅电极布线(2)交叉的区域的源极栅极交叉部(10a)、连接所述TFT部(10b)与源极栅极交叉部的连接部(10a)一体地形成,由所述源电极(6b)以及源极布线(6a)覆盖所述半导体层的连接部(10c)的全部以及源极栅极交叉部(10a)连接部(10c)侧的一部分。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示装置,具有:形成在透明绝缘衬底上的栅电极布线;覆盖所述栅电极布线的栅极绝缘膜;形成在所述栅极绝缘膜上的半导体层;形成在所述半导体层上的源电极、源极布线以及漏电极;与所述漏电极连接的像素电极,其特征在于,在所述半导体层中,构成TFT的TFT部、在所述源极布线和所述栅极布线交叉的区域所形成的源极栅极交叉部、连接所述TFT部和源极栅极交叉部的连接部一体地形成,由所述源电极以及源极布线覆盖所述半导体层的连接部全部以及源极栅极交叉部的连接部侧的一部分。
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