[发明专利]绝缘膜有效
| 申请号： | 200810080697.2 | 申请日： | 2008-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101257002A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 森田健介;割石幸司;浅野明;村松诚 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春琦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过在基板上固化高分子化合物而得到的半导体器件用绝缘膜，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的，其中所述笼型硅倍半氧烷化合物的结构不因固化而破裂，并且通过观察固化后的膜的拉曼光谱中约610cm－1处的峰，可以检测所述笼结构的破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件用绝缘膜，所述的绝缘膜是通过在基板上固化高分子化合物而得到的，所述的高分子化合物是通过聚合具有两个或更多个作为取代基的不饱和基团并且具有环状硅氧烷结构的笼型硅倍半氧烷化合物而得到的，其中所述笼型硅倍半氧烷化合物的结构不因固化而破裂。
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