[发明专利]光电转换设备和制造光电转换设备的方法无效
申请号: | 200810080868.1 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101252137A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 三岛隆一;成濑裕章 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 魏小薇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法,该光电转换设备包括置于半导体衬底上的光电转换元件,以及多层布线结构,该多层布线结构包括在半导体衬底上方配置的多个布线层,所述多个布线层被配置为以便在它们之间夹着层间绝缘膜。至少在最上面的一个布线层上配置扩散抑制膜,该扩散抑制膜用于抑制形成最上面的布线层的材料的扩散;扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域;以及对扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域配置透镜。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种光电转换设备,包括:置于半导体衬底上的光电转换元件;以及多层布线结构,包括布置为在半导体衬底上方将层间绝缘膜夹在其间的多个布线层,在布线层之中的最上面的布线层上配置有扩散抑制膜,以抑制形成最上面的布线层的材料的扩散,扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域,在对应于光电转换元件的区域中配置有透镜,该透镜由最上面的布线层上配置的扩散抑制膜的一部分制成,或直接与扩散抑制膜接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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