[发明专利]光电转换设备和制造光电转换设备的方法无效

专利信息
申请号: 200810080868.1 申请日: 2008-02-22
公开(公告)号: CN101252137A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 三岛隆一;成濑裕章 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 魏小薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法,该光电转换设备包括置于半导体衬底上的光电转换元件,以及多层布线结构,该多层布线结构包括在半导体衬底上方配置的多个布线层,所述多个布线层被配置为以便在它们之间夹着层间绝缘膜。至少在最上面的一个布线层上配置扩散抑制膜,该扩散抑制膜用于抑制形成最上面的布线层的材料的扩散;扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域;以及对扩散抑制膜的对应于光电转换元件的区域配置透镜。
搜索关键词: 光电 转换 设备 制造 方法
【主权项】:
1、一种光电转换设备,包括:置于半导体衬底上的光电转换元件;以及多层布线结构,包括布置为在半导体衬底上方将层间绝缘膜夹在其间的多个布线层,在布线层之中的最上面的布线层上配置有扩散抑制膜,以抑制形成最上面的布线层的材料的扩散,扩散抑制膜覆盖最上面的布线层和层间绝缘膜的对应于光电转换元件的区域,在对应于光电转换元件的区域中配置有透镜,该透镜由最上面的布线层上配置的扩散抑制膜的一部分制成,或直接与扩散抑制膜接触。
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