[发明专利]光电转换装置的制造方法有效
申请号: | 200810080869.6 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101252102A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 泽山忠志;小岛毅 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/768;H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法,该方法包括以下步骤:在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔;在孔中埋入导电物质;形成氢供给膜;在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢;通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构;并且形成覆盖多层互连结构的保护膜,其中,在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换装置的制造方法,该光电转换装置具有光电转换元件、用于从所述光电转换元件读出信号的晶体管和设置在半导体基板上的多层互连结构,该方法包括以下步骤:在所述光电转换元件和所述晶体管上形成层间绝缘膜;在所述层间绝缘膜的与所述晶体管的电极对应的区域中形成孔;在所述孔中埋入导电物质;形成氢供给膜;在第一温度下进行热处理以从所述氢供给膜向所述半导体基板供给氢;在进行所述热处理以供给氢的步骤之后,通过在布线材料中使用Cu形成所述多层互连结构;并且形成覆盖所述多层互连结构的保护膜,其中,在不高于所述第一温度的温度下进行形成所述多层互连结构的步骤和形成所述保护膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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