[发明专利]电光装置及其制造方法和电子设备无效
申请号: | 200810081208.5 | 申请日: | 2008-02-19 |
公开(公告)号: | CN101252135A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 小山田晋 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备。电光装置具有存储电容(70)和隔离绝缘膜(49),上述存储电容通过在基板上设置在非开口区域(R2)同时层叠下侧电极(71)、电介质膜(75)和上侧电极(301)而成,下侧电极具有与上侧电极重叠的下侧电极本体部(71a)和从该下侧电极本体部的一部分(71a1)与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部(71b),上述隔离绝缘膜在包含配置在下侧电极的基底面(41s)的上层每和上侧电极的下层侧的下侧电极本体部与下侧电极延伸部的边界(Bd)的区域形成与下侧电极本体部的其他部分(71a2)不重叠的形态。此外,具有设置在开口区域(R1)上的由与隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形(910)。 | ||
搜索关键词: | 电光 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种电光装置,其特征在于,在基板上具有:多个像素电极;晶体管,其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域,与上述像素电极电气连接;存储电容,其至少隔着一层层间绝缘膜配置在上述像素电极的下层侧,设置在上述非开口区域,并由下侧电极、电介质膜和上侧电极顺序层叠而成,上述下侧电极具有,在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部;隔离绝缘膜,其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧,在上述基板上从平面看,在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的边界的区域中,以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠的方式形成;和第1虚设图形,其设置在上述开口区域,由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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