[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200810081234.8 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101256993A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 田中壮和;高桥康平;冈部诚司 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实现了在较高的温度下键合线和电极焊垫之间的结点区域中提高的可靠性。半导体器件(100)包括半导体芯片(102)、AlCu焊垫(107)和CuP导线(111)，其中AlCu焊垫(107)提供在半导体芯片(102)中且包含Al作为主要组分并且另外包含铜(Cu)，CuP导线(111)用作接合构件用于将提供在半导体芯片(102)外部的内引线(117)与半导体芯片(102)连接，并且主要包含Cu。AlCu焊垫(107)和CuP导线(111)用基本不含卤素的密封树脂(115)密封。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片；电极焊垫，其提供在所述半导体芯片中，并包含铝(Al)作为主要成分且另外包含铜(Cu)；和接合构件，其连接提供在所述半导体芯片外部的接合端子和所述半导体芯片，且主要包含Cu，其中，在用来接合所述接合构件和所述电极焊垫的区域中，提供具有不同Cu和Al含量比的多个Cu和Al合金层，其中所述Cu和Al合金层包括铜-铝合金(CuAl2)层和提供在所述CuAl2层和所述接合构件之间且具有比所述CuAl2层的Al含量比相对低的Al含量比的层，和其中所述电极焊垫和所述接合构件用基本不包含卤素的密封树脂密封。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810081234.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
