[发明专利]有机晶体管、其制造方法及电子设备

摘要

本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管(1)具备：设置于栅电极(15)与源电极(11)的对向区域(S1)的第1半导体区域(131)，设置于栅电极(15)与漏电极(12)的对向区域(S2)的第2半导体区域(132)，和设置于第1半导体区域(131)与第2半导体区域(132)之间的区域(S3)的第3半导体区域(133)；当设第1半导体区域(131)的厚度的平均值为W1、第2半导体区域(132)的厚度的平均值为W2、第3半导体区域(133)的厚度的平均值为W3时，W1、W2及W3满足W1、W2＜W3的关系。

主权项

1.一种有机晶体管，其特征在于，具备：源电极及漏电极，跨前述源电极及前述漏电极之间所设置的有机半导体层，和与前述有机半导体层通过栅绝缘膜设置、与前述源电极及前述漏电极相对向地设置的栅电极；前述有机半导体层，具备：设置于前述栅电极与前述源电极相对向的对向区域的第1半导体区域，设置于前述栅电极与前述漏电极相对向的对向区域的第2半导体区域，和设置于前述第1半导体区域与前述第2半导体区域之间的第3半导体区域；当设前述第1半导体区域的厚度的平均值为W1、前述第2半导体区域的厚度的平均值为W2、前述第3半导体区域的厚度的平均值为W3时，前述W1、W2及W3，满足W1、W2＜W3的关系。