[发明专利]EL显示装置和用于制造所述显示装置的方法有效
申请号: | 200810081937.0 | 申请日: | 2000-09-15 |
公开(公告)号: | CN101266996A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;水上真由美;小沼利光 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈景峻 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 多个像素(102)被设置在底板上。每个像素(102)具有EL元件,其利用和电流控制TFT(104)相连的像素电极(105)作为阴极。在相对底板(110)上,在相应于每个像素(102)的周边的位置设置有光屏蔽膜(112),同时在相应于每个像素的位置设置彩色滤光器(113)。光屏蔽膜使得像素的轮廓清晰,从而使得以高的清晰度显示图像。此外,可以利用现有的用于液晶显示装置的生产线制造本发明的EL显示装置。因而,可以大大减少设备投资,借以减少总的制造成本。 | ||
搜索关键词: | el 显示装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种显示装置,包括:形成在第一衬底上的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与一条源极引线和一条栅极引线电连接;形成在所述第一衬底上的第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管电连接;形成在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的包括有机树脂膜的拉平膜;与所述第二薄膜晶体管电连接的EL元件;以及形成在所述拉平膜上、并形成在所述EL元件上的钝化膜,其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管具有相同的导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的