[发明专利]氧化锌基半导体发光组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810081961.4 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101540354A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;陈星兆 | 申请（专利权）人： | 陈敏璋 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 台湾省台北市中正区林*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种氧化锌基半导体发光组件及其制造方法。根据本发明的制造方法，首先，制备一基材。接着，通过一基于原子层沉积的制程，在该基材上或之上形成一氧化锌基多层结构，其中该氧化锌基多层结构包含一发光区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 半导体 发光 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一半导体发光组件的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤：制备一基材；以及通过一基于原子层沉积的制程，在所述基材上或之上形成一氧化锌基多层结构，所述氧化锌基多层结构包含一发光区域。
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