[发明专利]可降低噪声的影像感测器无效
| 申请号： | 200810082098.4 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101527309A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 詹日维 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/522;H04N3/15;H04N5/217 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可降低噪声的影像感测器，包含有一像素阵列(array)、一控制电路及一关联双取样电路阵列。该关联双取样电路阵列耦接于该像素阵列及该控制电路之间，由多个关联双取样电路单元所组成，其中每一关联双取样电路单元包含有一硅基板；一MOS元件形成于该硅基板上，该MOS元件连接至该关联双取样电路单元的一浮接点；以及多个金属层，设置于该MOS元件之上，用来提供该关联双取样电路单元的电连结，并且用来阻挡光线照射该MOS元件。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 噪声 影像 感测器 | ||
【主权项】：
1.一种可降低噪声的影像感测器，包含有：一像素阵列；一控制电路；以及一关联双取样电路阵列，耦接于该像素阵列及该控制电路之间，由多个关联双取样电路单元所组成，该多个关联双取样电路单元的每一关联双取样电路单元包含有：一硅基板；一MOS元件，形成于该硅基板上，该MOS元件连接至该关联双取样电路单元的一浮接点；以及多个金属层，设置于该MOS元件之上，用来提供该关联双取样电路单元的电连结，并且用来阻挡光线照射该MOS元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
