[发明专利]图像传感器装置无效
申请号: | 200810082118.8 | 申请日: | 2008-03-03 |
公开(公告)号: | CN101409299A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 彭进宝;刘宇杰 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B27/10 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;吴世华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种图像传感器装置,其具有多个单位像素,每个上述单位像素包含:一基底,上述基底具有水平排列成一行的多个光学二极管,且上述光学二极管之间具有至少一斜边边界区;以及一非吸收性的分光装置,位于上述基底上或其上方,上述非吸收性的分光装置使入射的白光发生色散,而分成多个成分色光,上述成分色光是依照其波长大小顺序排成一行,上述非吸收性的分光装置并导引上述成分色光,而使上述成分色光入射至上述光学二极管。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器装置,包含:一基底,该基底具有水平排列成一行的多个光学二极管,且所述光学二极管之间具有至少一斜边边界区;以及一非吸收性的分光装置,位于该基底上或其上方,该非吸收性的分光装置使入射的白光发生色散,而分成多个成分色光,所述成分色光是依照其波长大小顺序排成一行,该非吸收性的分光装置并导引所述成分色光,而使所述成分色光入射至所述光学二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的