[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810082197.2 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101261971A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 东条启;木谷智之;井口知洋;平原昌子;西内秀夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新;杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过采用不使用焊线的结构来提高电气特性并确保高的可靠性、能够提高制造的成品率并提高生产效率的半导体装置及其制造方法。具备：第一表面(5a)上配设有半导体元件的第一电极(5a1)并且与第一表面(5a)相对置的第二表面(5b)上配设有半导体元件的第二电极(5b1)的半导体芯片(5)；连接在第一表面(5a)上的第一导电性部件(6a)；连接在第二表面(5b)上的第二导电性部件(6b)；与第一导电性部件(6a)连接并且具有比第一导电性部件(6a)大的连接面积的第一外部电极(2a)；与第二导电性部件(6b)连接，并且具有比第二导电性部件(6b)大的连接面积的第二外部电极(2b)；以及在第一和第二外部电极(2b、2b)之间利用加热进行熔融及硬化来密封半导体芯片(5)和导电性部件(6)的密封材料(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片，第一表面上配设有半导体元件的第一电极，并且与上述第一表面相对置的第二表面上配设有上述半导体元件的第二电极；连接在上述半导体芯片的第一表面上的第一导电性部件；连接在上述半导体芯片的第二表面上的第二导电性部件；第一外部电极，与上述第一导电性部件连接，并且具有比上述第一导电性部件大的连接面积；第二外部电极，与上述第二导电性部件连接，并且具有比上述第二导电性部件大的连接面积；以及密封材料，在上述第一外部电极与上述第二外部电极之间利用加热而被熔融及硬化来密封上述半导体芯片、上述第一导电性部件和上述第二导电性部件。
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