[发明专利]半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元无效

专利信息
申请号: 200810082230.1 申请日: 2008-02-26
公开(公告)号: CN101256940A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 守谷修司;中尾贤 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;C23C14/56;C23C16/44;C23F4/00;C30B25/14;H01J37/32
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元。气体供给系统用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体。该气体供给系统具有与气体供给源和处理部连接的气体供给流路。气体供给流路包括多个流体控制设备(手动阀、减压阀、压力计、单向阀、第一截止阀、第二截止阀、质量流量控制器、气体过滤器),和连接在这些流体控制设备之间、形成有气体的流路的流路构成部件(流路块)。这些流路构成部件由碳材料构成。由此,在向处理部供给腐蚀性气体时,能够极力抑制相对被处理基板的金属性污染物质的混入。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 气体 供给 系统 集成 单元
【主权项】:
1.一种半导体制造装置的气体供给系统,用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体,其特征在于,具有:与所述气体供给源和所述处理部连接的气体供给流路,所述气体供给流路包括:多个流体控制设备;和连接在这些各流体控制设备之间、内部形成有所述气体的流路的流路构成部件,所述流路构成部件由碳材料构成。
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