[发明专利]发光二极管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810082385.5 | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101527339A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 洪铭煌;蔡宗良 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管器件及其制造方法。一种发光二极管器件包括基底。位于所述基底上方的缓冲层。位于所述缓冲层上方的第一导电性局限层。位于所述第一导电性局限层上方的发光层。位于所述发光层上方的第二导电性第一局限层。位于所述第二导电性第一局限层上方的具导电性第一接触层。位于所述具导电性第一接触层上方经图案化的第二导电性第二局限层。位于所述第二导电性第二局限层上方经图案化的具导电性第二接触层。位于所述第二接触层上方的透明导电层，具有多个接触穿经所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层。位于所述第一导电性局限层上方的第一导电性电极及位于所述透明导电层上方的第二导电性电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管器件，其特征在于，所述发光二极管器件包括：基底；缓冲层，位于所述基底上方；第一导电性局限层，位于所述缓冲层上方；发光层，位于所述第一导电性局限层上方；第二导电性第一局限层，位于所述发光层上方；具导电性第一接触层，位于所述第二导电性第一局限层上方；经图案化第二导电性第二局限层，位于所述具导电性第一接触层上方；经图案化具导电性第二接触层，位于所述第二导电性第二局限层上方；透明导电层，位于所述第二接触层上方，所述透明导电层具有多个接触穿经所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层；第一导电性电极，位于所述第一导电性局限层上方；及第二导电性电极，位于所述透明导电层上方。
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