[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810083158.4 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101261961A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 金润熙;姜镐民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法，栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层顺序形成于基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触图案被蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：于其上形成有栅极布线的基板上顺序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层；形成光致抗蚀剂图案于源电极区域和漏电极区域中；使用该光致抗蚀剂图案作为第一蚀刻停止层，蚀刻该数据金属层，以形成包括源电极和漏电极的数据布线；回流该光致抗蚀剂图案以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区；使用经过回流的光致抗蚀剂图案作为第二蚀刻停止层，蚀刻该欧姆接触层和该半导体层，以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案；回蚀刻该经过回流的光致抗蚀剂图案，以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分；以及使用经过回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为第三蚀刻停止层，蚀刻该欧姆接触图案，完成具有沟道的薄膜晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810083158.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
