[发明专利]金属氧化物半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810083168.8 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101527313A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 郭东政;陈逸琳 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/94;H01L23/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具稳压及静电放电防护的金属氧化物半导体元件及其制造方法，其应用于一芯片。本发明包含一P型基底、一导体层、一第一N型掺杂区、一第二N型掺杂区及一第三N型掺杂区，其利用该第二N型掺杂区及该第三N型掺杂区，使该金属氧化物半导体在该芯片未安装或未运作时，可避免人体或机械产生的静电，透过焊垫使芯片损毁；在芯片运作时，可作为一电源端与一接地端间的稳压电容之用。如此可有效率地利用该金属氧化物半导体，并无须另外制作电容，可节省该芯片的尺寸大小，进而降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具稳压与静电放电防护的金属氧化物半导体元件，包括：一P型基底；一栅极氧化层，位于该P型基底上方；一导体层，位于该栅极氧化层上方且连接于一电源端；一第一N型掺杂区，位于该P型基底中，并位于该栅极氧化层的一侧边，且连接于一接地端；一第二N型掺杂区，位于该P型基底中，并位于该栅极氧化层的另一侧边；以及一第三N型掺杂区，位于该第二N型掺杂区的侧边，并连接于一焊垫。
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