[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810083456.3 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101262011A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | B·B·多丽斯;刘小虎 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有分别被应变的沟道区的NFET和PFET器件及其制造方法。应力层以应力层相对栅极而言为非保形的方式覆盖器件。与保形应力层相比，应力层的非保形增加了被引入到器件的沟道上的应力的量。用于以非保形方式覆盖的方法包括非保形沉积技术，以及随后通过刻蚀将层转变成非保形层的保形沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)，包括：沟道；覆盖所述沟道的栅极，其中所述栅极具有侧面；与所述沟道相邻的源和漏；以及覆盖所述FET的应力层，所述应力层具有在所述源和所述漏之上的厚度，其中在所述栅极的所述侧面的至少一部分之上，所述应力层具有小于位于所述源和所述漏之上的所述厚度的大约50％的侧面厚度，其中所述沟道处于应力下，其中所述应力通过所述应力层被引入到所述沟道上。
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