[发明专利]多沟道半导体集成电路

摘要

本发明公开了一种多沟道半导体集成电路。该半导体集成电路包括：高侧晶体管、低侧晶体管、驱动高侧晶体管的电平位移电路以及驱动低侧晶体管的预驱动电路，且以高侧晶体管与低侧晶体管的连接点作为输出端。电平位移电路还包括：栅极被预驱动电路驱动的第一及第二N型MOS晶体管、以及阳极连接在未连接高侧晶体管的栅极的第一及第二N型MOS晶体管的漏极上且阴极连接在输出端的二极管。

主权项

1、一种半导体集成电路，该半导体集成电路是一输出电路，其包括：与第一基准电位连接的高侧晶体管、与第二基准电位连接的低侧晶体管、驱动所述高侧晶体管的电平位移电路以及驱动所述低侧晶体管的预驱动电路，且以所述高侧晶体管与所述低侧晶体管的连接点作为输出端，其特征在于：所述电平位移电路，具有栅极被所述预驱动电路驱动的第一及第二N型金属氧化物半导体晶体管；该半导体集成电路还包括：阳极连接在未连接有所述高侧晶体管的栅极的所述第一或第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极上、阴极连接在所述输出端上的二极管。