[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在无接合线结构的半导体装置中，由于在将作为连接件的金属板与半导体芯片的电极层进行电连接时采用预成型材料，因此，需要在预成型材料与第一电极层的结合部上设置多层金属层。但是，在多层金属层中，会产生电气特性波动、温度循环试验等中的特性变动的问题。在本发明中，作为多层金属层的最下层(与半导体芯片的电极层相接的第一金属层)，利用电子冲击加热蒸镀法形成以钛为主要材料的金属层，其膜厚为1000。由此，与现有的结构相比，本发明的Ti层的膜质良好，可以使多层金属层的电气特性波动、特性变动极小化。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片，其在半导体基板的一主面设置有电极层；多层金属层，其设置在所述电极层上；连接件，其由金属板构成，通过预成型材料固定在所述多层金属层上，所述多层金属层依照第一金属层、第二金属层、第三金属层的顺序进行层积，该第一金属层膜厚为400～2000、以钛作为主要材料，该第二金属层膜厚为100～1000、以镍作为主要材料，该第三金属层膜厚为500～2000、由铜或铬构成。