[发明专利]互补金属氧化物半导体影像感测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体影像感测器及其制造方法。该互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法是先于基底中形成隔离结构，以于基底中定义出光感测区与晶体管元件区，其中晶体管元件区至少包括预定形成转移晶体管的区域。接着，在基底上依序形成介电层以及导体层。然后，进行离子注入工艺，将掺杂剂透过导体层与介电层注入转移晶体管的栅极预定形成位置下方以及光感测区的基底中。其后，图案化导体层、介电层，以于晶体管元件区上至少形成转移晶体管的栅极结构。之后，于光感测区的基底中形成光二极管。

主权项

1. 一种互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，包括：于基底中形成隔离结构，并定义出光感测区与晶体管元件区，其中前述晶体管元件区至少包括预定形成转移晶体管的区域；在前述基底上依序形成第一介电层以及第一导体层；进行第一离子注入工艺，将第一掺杂剂透过前述第一导体层与前述第一介电层注入前述转移晶体管的栅极预定形成位置下方以及前述光感测区的前述基底中；图案化前述第一导体层、前述第一介电层，以于前述晶体管元件区上形成前述转移晶体管的栅极结构；以及于前述光感测区的前述基底中形成光二极管。