[发明专利]高纯度多晶硅的制造装置及制造方法无效

专利信息
申请号: 200810084016.X 申请日: 2008-03-18
公开(公告)号: CN101311113A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 并木伸明 申请(专利权)人: 智索株式会社
主分类号: C01B33/033 分类号: C01B33/033;C30B29/06;C30B28/14
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 日本大阪府大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种高纯度多晶硅的制造装置,包括:氯化硅的气化装置;锌熔融蒸发装置;外周面具备加热机构的立式反应器;连接在氯化硅的气化装置和立式反应器间的氯化硅气体供给喷嘴,将氯化硅的气化装置提供的氯化硅气体供应到立式反应器;连接在锌熔融蒸发装置和立式反应器间的锌气体供给喷嘴,将锌熔融蒸发装置提供的锌气体供应到立式反应器;及与立式反应器相连的排气抽出管。锌熔融蒸发装置包括蒸发器;与蒸发器上部相连的主纵筒部;插入主纵筒部内部的固态物分离管;与固态物分离管倾斜相连的锌导入用管;围绕固态物分离管的下端开口部且构成其底面的密封罐;安装在主纵筒部外周面且可调节温度的感应加热装置;及与蒸发器的侧壁相连的气体排放用管。
搜索关键词: 纯度 多晶 制造 装置 方法
【主权项】:
1.一种高纯度多晶硅的制造装置,其特征在于包括:氯化硅的气化装置;锌熔融蒸发装置;立式反应器,外周面具备加热机构;氯化硅气体供给喷嘴,以连接在所述氯化硅的气化装置和所述立式反应器之间的方式配置,将所述氯化硅的气化装置提供的氯化硅气体供应到所述立式反应器内;锌气体供给喷嘴,以连接在所述锌熔融蒸发装置和所述立式反应器之间的方式配置,将所述锌熔融蒸发装置提供的锌气体供应到所述立式反应器内;以及排气抽出管,与所述立式反应器相连接,所述锌熔融蒸发装置包括:蒸发器;主纵筒部,与所述蒸发器的上部相连接;固态物分离管,插入到所述主纵筒部的内部;锌导入用管,倾斜地与所述固态物分离管相连接;密封罐,以围绕所述固态物分离管的下端开口部的方式配置,且构成所述固态物分离管的底面;感应加热装置,安装在所述主纵筒部的外周面且可调节温度;以及气体排放用管,与所述蒸发器的侧壁相连接。
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