[发明专利]形成第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件用的电极的方法有效
| 申请号： | 200810084079.5 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276872A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 五所野尾浩一;守山实希 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成用于第III族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，该方法包括在第III族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对第III族氮化物化合物半导体层具有高粘合性或与第III族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成，并且该方法还包括在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化物 化合物 半导体 发光 器件 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于第III族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，包括：在第III族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对所述第III族氮化物化合物半导体层具有高粘合性的材料或与所述第III族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成；和在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层的步骤。
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