[发明专利]半导体存储器设备有效

专利信息
申请号: 200810084301.1 申请日: 2008-03-17
公开(公告)号: CN101266830A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 菅本博之 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11C7/22 分类号: G11C7/22
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 宋鹤
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据一个实施例的一个方面,提供了一种半导体存储器设备,其确定通过读取连接有复制位线和复制字线的复制单元的操作而读取来自存储单元的数据所需的数据读取时间,所述复制位线具有和连接至所述存储单元的位线等效的负载,所述半导体存储器设备包含:写控制信号生成单元,该写控制信号生成单元包括用以接收响应用于驱动所述复制字线的驱动信号而生成的复制字线激活信号输入的多级耦合的逻辑门,所述写控制信号生成单元基于所述复制字线激活信号生成写控制信号以确定写入数据至所述存储单元所需的数据写入时间。
搜索关键词: 半导体 存储器 设备
【主权项】:
1.一种半导体存储器设备,该半导体存储器设备确定通过读取复制单元的操作而读取来自存储单元的数据所需的数据读取时间,所述复制单元与复制位线和复制字线相连,所述复制位线具有和连接至所述存储单元的位线等效的负载,所述半导体存储器设备包含:写控制信号生成单元,该写控制信号生成单元包括用以接收复制字线激活信号输入的多级耦合的逻辑门,所述复制字线激活信号是响应于用于驱动所述复制字线的驱动信号而生成的,所述写控制信号生成单元基于所述复制字线激活信号而生成写控制信号,所述写控制信号用以确定写入数据至所述存储单元所需的数据写入时间。
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