[发明专利]改善蚀刻率均匀性的技术有效
| 申请号： | 200810085234.5 | 申请日： | 2000-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101241846A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | J·E·道赫尔蒂;N·本亚明;J·波加特;V·瓦赫蒂;D·科珀博格;A·米勒;Y·亚马古赤 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683;H01J37/32;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王小衡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开用于等离子体处理系统中离子辅助蚀刻处理的改进方法和装置。根据本发明的不同方面，公开了抬升边环，槽形边环和RF耦合边环。本发明有利于改善整个衬底(晶片)的蚀刻率均匀性。由本发明提供的蚀刻率均匀性的改善不仅提高了制造产额，而且成本效率高，并且不要冒粒子和/或重金属沾污的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 蚀刻 均匀 技术 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻衬底的等离子体处理室，所说等离子体处理室包括：衬底，具有顶表面、底表面和边；射频RF驱动夹盘，所说的RF驱动夹盘支撑至少一部分衬底的底表面；和内RF耦合边环，它置于所说的RF驱动夹盘的一部分上面并且邻近衬底的一边，包围所说的内RF耦合边环的外边环，其中所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量被耦合到所说的内RF耦合边环；在所说的内RF耦合边环和所说的RF驱动夹盘的部分之间提供的RF耦合器，其中由所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量通过所说的RF耦合器被耦合到所说的内RF耦合边环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
