[发明专利]存储器电容的电极结构以及存储器电容结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器电容的电极结构和存储器电容结构的制造方法。在随机存取存储器中因工艺微缩后，堆叠电容的表面积大幅减少，影响电容量下降而导致电容无法正常运作。本发明的构想是在有限的存储单元区域里，采用凹凸表面的外部环状管体和中心柱体的复合式下电极，来增加电容表面积，进而提高电容量。而外部环状管体的径向截面为椭圆形，且椭圆形的短轴方向的厚度加厚，以加强电容结构的强度。

主权项

1.一种存储器电容的电极结构，包括：下电极，由外部环状管体以及中心柱体所组成，该外部环状管体的径向截面为椭圆形；介电层，覆盖该下电极；以及上电极，覆盖该介电层。