[发明专利]形成覆盖膜部分的基底处理方法无效
| 申请号： | 200810085589.4 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101269479A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 间濑惠二;石桥正三 | 申请（专利权）人： | 株式会社不二制作所 |
| 主分类号： | B24C11/00 | 分类号： | B24C11/00;B24C1/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李雪春;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成覆盖膜部分的基底处理方法。通过喷砂加工进行基底处理，在处理对象的形成覆盖膜部分上能产生固定效果，并不会让磨粒残留下来。它是通过把磨粒特别是绝缘性磨粒混合分散在弹性体的母材中或把研磨材料通过粘贴使其承载在上述母材的表面上而得到的弹性研磨材料，喷射到处理对象的形成覆盖膜部分上，上述磨粒不会埋入处理对象的表面，并形成具有使形成的覆盖膜产生固定效果的表面粗糙度的凹凸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 覆盖 部分 基底 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成覆盖膜部分的基底处理方法，其特征在于，通过把磨粒混合分散在弹性体的母材中或使上述磨粒承载在上述弹性体的母材表面上所得到的弹性研磨材料，喷射到处理对象的形成覆盖膜部分上，磨粒不会埋入上述形成覆盖膜部分，并且，在上述形成覆盖膜部分上，以使所形成的覆盖膜产生固定效果的规定的表面粗糙度，形成凹凸。
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