[发明专利]用作化学气相沉积的前体的有机硅组合物的纯化方法无效
| 申请号： | 200810085664.7 | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101250690A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·G·梅厄加;K·A·钱德勒 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志;范赤 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用作化学气相沉积的前体的有机硅组合物的纯化方法，即一种纯化含有烷氧基硅烷或羧基硅烷和碱性杂质的有机硅组合物的方法，该方法包括步骤：有机硅组合物与酸性气体接触，与碱性杂质反应后，形成包含所述酸性气体盐的沉淀物；以及除去所述酸性气体盐以形成纯化的有机硅产品。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 化学 沉积 有机硅 组合 纯化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纯化含有烷氧基硅烷或羧基硅烷和碱性杂质的有机硅组合物的方法，该方法包括步骤：有机硅组合物与酸性气体接触，与碱性杂质反应后，形成包含所述酸性气体盐的沉淀物；以及除去所述酸性气体盐以形成纯化的有机硅产品。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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