[发明专利]用于电感耦合高密度等离子体处理室的内部平衡线圈无效
| 申请号： | 200810085676.X | 申请日： | 2008-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101304630A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·陈;赖灿风;兴隆·陈;伟意·罗;华仲强;陆思青;穆罕默德·拉希德;梁起威;德米特里·鲁博弥尔斯克;埃利·Y·易 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00;H01L21/02;C23C16/455;C23C16/513;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于电感耦合高密度等离子体处理室的内部平衡线圈。线圈包括第一线圈部分，第二线圈部分和内部平衡电容。第一线圈部分具有第一端和第二端。线圈部分的第一端连接至电源。第二线圈部分具有第一端和第二端。第一线圈部分的第二端连接至外部平衡电容。内部平衡电容串联连接在第一线圈部分的第二端和第二线圈部分的第一端之间。应用内部平衡电容和线圈部分以提供沿着第一线圈部分的电压峰，其与沿着第二线圈部分的虚地实质上对准。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电感 耦合 高密度 等离子体 处理 内部 平衡 线圈 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体处理系统中通过室中的磁场产生等离子体的线圈，该线圈包括：具有第一端部和第二端部的第一线圈部分，所述第一线圈部分的所述第一端部连接至电源；具有第一端部和第二端部的第二线圈部分，所述第一线圈部分的所述第二端部连接至外部平衡电容；以及串联连接在所述第一线圈部分的所述第二端部和所述第二线圈部分的所述第一端部之间的内部平衡电容；其中所述内部平衡电容和线圈部分提供沿着所述第一线圈部分的电压峰，所述电压峰值与沿着所述第二线圈部分的虚地基本对准。
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