[发明专利]电流模式逻辑-互补金属氧化物半导体转换器无效
| 申请号： | 200810085730.0 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101383612A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 金敬勋;权大汉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电流模式逻辑(CML)-互补金属氧化物半导体(CMOS)转换器，在用于将CML电平信号转换成CMOS电平信号的过程中防止占空比变化，以稳定地操作。CML-CMOS转换器包括：参考电平偏移单元，其被配置成接收在第一参考电平周围摆动的CML信号，以便将摆动参考电平偏移到第二参考电平；以及放大单元，其被配置成放大所述参考电平偏移单元的输出信号，以便将所放大的信号输出为CMOS信号。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 模式 逻辑 互补 金属 氧化物 半导体 转换器 | ||
【主权项】：
1. 一种电流模式逻辑(CML)-互补金属氧化物半导体(CMOS)转换器，包括:参考电平偏移单元，其被配置成接收在第一参考电平周围摆动的CML信号，以将摆动参考电平偏移到第二参考电平；以及放大单元，其被配置成放大所述参考电平偏移单元的输出信号，以将所放大的信号输出为CMOS信号。
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