[发明专利]制造电子器件、基板和半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810085743.8 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101271853A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 町田洋弘 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造电子器件、基板和半导体器件的方法，其包含：在半导体芯片(101)提供的电极焊盘(103)上形成具有突出物(104B)的凸块(104)的步骤；从半导体芯片(101)上形成的绝缘层(105)的上表面露出突出物(104B)的一部分的步骤；在绝缘层(105)的上表面和顶端部分(104D)的露出部分上形成导电层(107A)的步骤；通过磨辊(112)把导电层(107A)上与顶端部分(104D)相对的凸出部分移除从而从导电层(107A)上露出突出物的步骤；以及通过使用导电层(107A)作为馈电层的电解电镀来形成导电层(108A)并且形成导电(108A)的图形的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电子器件 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，其包含：第一步，在基板主体上提供的电极焊盘上形成具有突出物的凸块；第二步，在基板主体上形成绝缘层并使突出物的一部分从绝缘层的上表面露出；第三步，在绝缘层的上表面和突出物的露出部分上形成导电层；第四步，通过机械加工把导电层的与突出物相对的凸出部分移除并且从导电层上露出突出物；以及第五步，通过用导电层作为馈电层的电解电镀来形成布线层，并且形成布线层的图形以形成连接到凸块的导电图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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