[发明专利]堆栈式芯片封装方法无效
申请号: | 200810085896.2 | 申请日: | 2008-04-02 |
公开(公告)号: | CN101552226A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 叶崇茂;张英彦 | 申请(专利权)人: | 菱生精密工业股份有限公司;鸿浩科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种堆栈式芯片封装方法,其步骤包含有:(a)提供一晶圆,该晶圆具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面上形成有若干切割道,于该第二表面预定位置上涂布一预定厚度接合胶;(b)将该接合胶对应于该切割道的位置,依预定宽度进行曝光显影去除,且使去除的宽度大于切割道的宽度;(c)将该晶圆沿该切割道切割成芯片,该芯片表面结合有一接合胶;(d)将执行完步骤(c)的各该芯片以其接合胶面结合于一下层芯片上,而完成芯片堆栈操作。通过本发明的设计,可使芯片于堆栈时方便操作,且可节省制作过程中的成本。 | ||
搜索关键词: | 堆栈 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】:
1、一种堆栈式芯片封装方法,其特征在于,包含有如下步骤:(a)提供一晶圆,该晶圆具有一第一表面以及一第二表面,该第一表面上形成有若干切割道,该第二表面预定位置上涂布一预定厚度接合胶,该接合胶可被曝光显影去除;(b)将该接合胶对应于该切割道的位置,依预定宽度进行曝光显影去除;(c)将该晶圆沿该切割道切割成若干芯片,且各该芯片表面均结合有一接合胶;(d)将执行完步骤(c)的各该芯片以其接合胶面结合于一下层芯片上,而完成芯片堆栈操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于菱生精密工业股份有限公司;鸿浩科技有限公司,未经菱生精密工业股份有限公司;鸿浩科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810085896.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铅酸电池的还原电路及其方法
- 下一篇:运行压力管道止漏罩
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造