[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810086241.7 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101477978A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡方文;王冠程;林耕竹;林志隆;郑双铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置，适用于先进内连线的超低介电常数介电膜层结构，其包括：具有不同折射率的一上层ELK介电层及一下层ELK介电层。上层ELK介电层的折射率大于下层ELK介电层的折射率。本发明提供一种应用于先进内连线的内层金属介电层的超低介电常数介电膜层。超低介电常数介电膜层包括在相同UV光波长测量下具有不同折射率的双膜层，以防止后续UV烘烤期间UV光穿透至下方膜层，进而提高UV烘烤效率并节省UV光的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，包括：一半导体衬底；一第一介电层，形成于该半导体衬底上，且介电常数不大于2.5；以及一第二介电层，形成于该半导体衬底与该第一介电层之间，且介电常数不大于2.5；其中该第一介电层对于一既定波长下的紫外光具有一第一折射率，该第二介电层对于该既定波长下的紫外光具有一第二折射率，且该第一折射率大于该第二折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086241.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有插入体的循环器/隔离器壳体
- 下一篇：有机发光显示器的制造方法
