[发明专利]SiC单晶低维纳米材料可控掺杂无效
| 申请号： | 200810086326.5 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101311378A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;高凤梅 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315016浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种有机前驱体共热解实现SiC单晶低维纳米材料可控掺杂新方法，其包括以下具体步骤：(1)将两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例球磨混合均匀；(2)混合均匀后进行交联固化，得到非晶态固体；(3)将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中，引入催化剂，在球磨机中进行球磨粉碎；(4)球磨后的混合物进行高温热解。本发明可以实现在分子水平上对SiC单晶低维纳米材料掺杂水平的调控和设计，从而实现对SiC单晶低维纳米材料光电等性能的调控，为其纳米器件的研发奠定一定的基础。 | ||
| 搜索关键词： | sic 单晶低维 纳米 材料 可控 掺杂 | ||
【主权项】：
1、一种SiC单晶低维纳米材料可控掺杂的新方法，其包括以下具体步骤：1)球磨混合：将原料两种有机前驱体聚硅氮烷和异丙醇铝按不同比例置于球磨罐中行星球磨混合均匀；2)低温交联固化：有机前驱体球磨混合均匀后在保护气氛下在一定温度下进行交联固化，得到非晶态固体；3)高能球磨粉碎：将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中在高能球磨机中进行干法球磨粉碎，球磨的同时引入催化剂，使得非晶态粉末与催化剂混合均匀；4)高温热解：高能球磨后的混合物进行高温热解，在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间即可得到具有不同掺杂量的单晶低维纳米材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086326.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
