[发明专利]等离子体处理装置

摘要

本发明提供能够容易调节晶片周缘部温度的等离子体处理装置(1)，在处理室(10)将基板(W)载置于载置台(11)上，使供给处理室内的处理气体等离子体化对基板实施等离子体处理，载置台包括温度调节至规定温度的载置台主体(12)和配置在载置台主体上部的用于吸附基板的静电卡盘(13)，在静电卡盘上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域(47)和配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域(48)，具有将传热用气体供给第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部(51)和将传热用气体供给第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部(52)，第二传热用气体扩散区域与第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。

主权项

1.一种等离子体处理装置，在处理室内将基板载置于载置台上，使供给至所述处理室内的处理气体等离子体化，对基板实施等离子体处理，其特征在于：所述载置台包括：被温度调节至规定温度的载置台主体；以及配置在所述载置台主体上部的、用于吸附基板的静电卡盘，在所述静电卡盘的上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域以及配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域，具有将传热用气体供给至所述第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部以及将传热用气体供给至所述第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部，所述第二传热用气体扩散区域相对于所述第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。