[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，在上漏极结构的MOSFET中，需要确保漏极电极和电流的取出区域(导电路)在半导体芯片上。在芯片终端部为了防止反转，需要环形区域或屏蔽金属，但由于需要确保这些区域具有某种程度的宽度，故引起元件区域小型化或芯片大型化。元件区域在作为无效区域的芯片外周端配置成为导电路的高浓度n型杂质区域和漏极电极。故不缩小元件区域也不扩大芯片而实现上漏极结构。通过将n型杂质区域和漏极电极设置在芯片外周端，即使不另外设置以往的环形区域或屏蔽金属也可终止基板的耗尽层。即由n型杂质区域和漏极电极可兼用做环形区域或屏蔽金属，故成为具有必需结构的上漏极结构的MOSFET且能避免元件区域的缩小或芯片面积的增大。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：高浓度一导电型半导体基板；设置在该半导体基板上的一导电型半导体层；设置在该半导体层的一主面的分立半导体的元件区域；在遍及该半导体层的端部整周，从该半导体层的侧面露出，使其深度为从所述一主面到达所述半导体基板的深度而设置的高浓度的一导电型杂质区域；设置在所述元件区域上，与该元件区域的输入部或输出部连接的第一电极；由所述半导体层上的最外周的金属层构成并与所述一导电型杂质区域接触，与所述元件区域的输出部或输入部连接的第二电极。