[发明专利]GaN基板的研磨方法无效
| 申请号： | 200810086581.X | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101274419A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304;B24D3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。 | ||
| 搜索关键词： | gan 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基板的研磨方法，其中，包括：第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液来研磨Ga面和N面在表面被配置成条状的GaN基板；第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板。
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