[发明专利]半导体器件及电子设备有效
申请号: | 200810086693.5 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN101276824A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 宍户英明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/522 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种半导体器件,包括:光电转换层;放大光电转换层的输出电流且包括两个薄膜晶体管的放大器电路;供给高电位电源的第一端子;供给低电位电源的第二端子;电连接所述两个薄膜晶体管和所述光电转换层的电极;电连接所述第一端子和所述两个薄膜晶体管的一方的第一薄膜晶体管的第一布线;以及,电连接所述第二端子和所述两个薄膜晶体管的另一方的第二薄膜晶体管的第二布线。在所述半导体器件中,通过使所述第一布线及第二布线弯曲,来使所述第一布线和所述第二布线的电压下降量变大。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:连接到第一电源的第一端子,该第一端子供给第一电位;连接到所述第一端子的光电转换元件,该光电转换元件输出第一电压;包括第一栅电极、第一漏电极、以及第一源电极的参照晶体管,其中所述第一栅电极和所述第一漏电极连接到所述光电转换元件,并且所述参照晶体管从所述第一源电极输出根据施加到所述第一栅电极的所述第一电压的第一电流;连接到所述第一端子且与所述光电转换元件并列的第一布线;包括第二栅电极、第二漏电极、以及第二源电极的放大晶体管,其中所述第二栅电极连接到所述光电转换元件,并且所述第二漏电极连接到所述第一布线,并且所述放大晶体管从所述第二源电极输出根据施加到所述第二栅电极的所述第一电压的第二电流;连接到所述第一源电极和所述第二源电极的连接点的第二布线;以及连接到所述第二布线的第二端子,该第二端子供给低于所述第一电位的第二电位,其中,在所述第二布线中流过所述第一电流和所述第二电流,并且,所述第一布线及所述第二布线设置为曲折形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的