[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810086794.2 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276840A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须沢英臣;笹川慎也;仓田求 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供当形成接触孔时容易进行蚀刻控制的半导体装置的制造技术。本发明的半导体装置至少包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅电极；以及形成在栅电极上的第二绝缘层，其中，至少在半导体层及第二绝缘层中形成有开口部而露出绝缘表面的一部分，并且，还包括通过该开口部且形成在第二绝缘层上的导电层。这里的导电层在形成于半导体层中的开口的侧面处与半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：形成在绝缘表面上的半导体层；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的栅电极；形成在所述栅电极上的第二绝缘层；以及形成在所述第二绝缘层上的导电层，其中，所述导电层通过第一开口和第二开口连接到所述半导体层，所述第一开口至少形成在所述第二绝缘层中，所述第一开口到达所述半导体层，所述第二开口至少形成在所述半导体层中，所述第二开口到达所述绝缘表面，且所述第二开口的俯视面积小于所述第一开口的俯视面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810086794.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
