[发明专利]蚀刻剂和利用其制造包括薄膜晶体管的电子装置的方法有效
| 申请号： | 200810086825.4 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101307444A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 曹奎哲;金广男 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14;C23C30/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实施例涉及一种蚀刻剂和利用该蚀刻剂制造包括薄膜晶体管的电子装置的方法。该蚀刻剂包括氟离子(F－)源、过氧化氢(H2O2)、硫酸盐、磷酸盐、唑类化合物和溶剂。该蚀刻剂和包括薄膜晶体管的电子装置的制造方法可批量地蚀刻包括铜层和钛或钛合金层的多层膜，并可以以高产量提供具有良好的图案轮廓的薄膜晶体管。当对该蚀刻剂进行再利用时，可保持均匀的蚀刻性能，且蚀刻剂的更换周期长，因此可节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 利用 制造 包括 薄膜晶体管 电子 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻剂，包括：氟离子源；过氧化氢；硫酸盐；磷酸盐；唑类化合物；溶剂。
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