[发明专利]半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810086910.0 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276990A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 畑雅幸;竹内邦生;德永诚一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：支撑基板；半导体激光元件部，其具有一对共振器面，该共振器面设有沿第一方向延伸的波导路的端部；以及粘接层，用于粘接所述支撑基板和所述半导体激光元件部，所述粘接层在所述共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。
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