[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括提供一基板；于上述基板上分别形成一第一栅极绝缘层和一第二栅极绝缘层；全面性形成一栅极层；移除部分上述栅极层、上述第一栅极绝缘层和部分上述第二栅极绝缘层，以形成一第一栅极、一残留第一栅极绝缘层、一第二栅极和一残留第二栅极绝缘层，其中未被上述第一栅极覆盖的上述残留第一栅极绝缘层是具有一第一厚度，未被上述第二栅极覆盖的上述残留第二栅极绝缘层具有一第二厚度，两者比值介于1∶10至1∶20之间；分别于上述第一栅极和上述第二栅极的侧壁上形成一对第一间隙壁和一对第二间隙壁。本发明可避免组件电性不良或可靠度下降的问题，节省工艺使用的掩膜数目，降低工艺成本。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，其具有一第一组件区和一第二组件区；分别于该第一组件区和该第二组件区中形成一第一栅极绝缘层和一第二栅极绝缘层；全面性形成一栅极层；图案化该栅极层，并移除部分该第一栅极绝缘层和部分该第二栅极绝缘层，以分别于该第一组件区中形成一第一栅极和一残留第一栅极绝缘层，以及于该第二组件区中形成一第二栅极和一残留第二栅极绝缘层，其中未被该第一栅极覆盖的该残留第一栅极绝缘层是具有一第一厚度，未被该第二栅极覆盖的该残留第二栅极绝缘层具有一第二厚度；以及分别于该第一栅极和该第二栅极的侧壁上形成一对第一间隙壁和一对第二间隙壁，其中该对第一间隙壁是覆盖部分该残留第一栅极绝缘层，而该对第二间隙壁是覆盖部分该残留第二栅极绝缘层。