[发明专利]一种形成极薄功率装置芯片的方法有效
| 申请号： | 200810087020.1 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276740A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;弗兰克斯·赫尔伯特;孙明;何约瑟 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制造减薄的半导体装置的方法。从具有预制的前侧装置的晶圆开始，该方法包括：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，制成一个减薄区域，同时在晶圆外围保留原始晶圆厚度，用作结构加强；在晶圆背侧形成电阻连接；分离并收集预制装置。该方法进一步包括：把晶圆背侧临时粘结到单侧分割带上，并通过分割框架进行支撑；采用一个背衬金属板，以匹配减薄的晶圆中央区域；将分割带夹在晶圆和背衬金属板之间，然后下压分割带以粘结晶圆；采用一个台阶外形体来支撑晶圆背侧，在一个分割操作中，将预制装置之间分离开并从晶圆外围分离出预制装置，分割深度略大于晶圆中央区域；然后拾取并收集分离出的减薄半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 功率 装置 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成极薄装置芯片的方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤a：提供一个具有原始厚度的半导体晶圆，所述的晶圆具有一组位于其前侧面的预制装置；步骤b：从晶圆背侧，仅减薄晶圆的中央区域，为预制装置提供相应的极薄区域，同时保留具有原始厚度的晶圆外围区域，作为结构强度，防止后续操作中的破损；步骤c：在晶圆背侧形成电阻连接；步骤d：从晶圆上，分离并收集所述的每一组预制装置，形成极薄芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810087020.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
