[发明专利]半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810087808.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101252107A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郑宏祥;黄志亿 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 台湾省高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体封装结构，包含有：一半导体基材、一第一保护层、一第一金属层、一第二保护层、一第二金属层及一第三金属层，其中半导体基材具有一表面，其上具有至少一第一接垫及至少一第二接垫。第一保护层覆盖在半导体基材的表面上，且外露出第一接垫及第二接垫。第一金属层形成于第一保护层上，且与第二接垫电性连接。第二保护层形成于第一金属层上，并暴露出第一接垫及部分第一金属层。第二金属层形成于第二保护层上并电性连接第一接垫。第三金属层形成于第二保护层上，并与第一金属层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，包含有一半导体基材，所述半导体基材具有一表面，在所述表面上具有至少一第一接垫及至少一第二接垫；其特征在于：所述半导体封装结构还包含有：一第一保护层、一第一金属层、一第二保护层、一第二金属层及一第三金属层，其中所述第一保护层覆盖在所述半导体的表面上，且外露出所述第一接垫及所述第二接垫；所述第一金属层形成于所述第一保护层上，且与所述第二接垫电性连接；所述第二保护层形成于所述第一金属层上，并暴露出所述第一接垫及部分第一金属层；所述第二金属层形成于所述第二保护层上并电性连接所述第一接垫；以及所述第三金属层所述形成于所述第二保护层上，并与所述第一金属层电性连接。
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