[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质有效

专利信息
申请号: 200810087850.4 申请日: 2008-03-26
公开(公告)号: CN101277579A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 东条利洋;齐藤均;佐藤亮 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在阳极电极和处理容器之间设置有阻抗调整部的等离子体处理装置中,能够容易并适当地调整阻抗调整部的阻抗,从而抑制异常放电。该等离子体处理装置具有:偏压用的高频电源;阻抗调整部;测定上述阻抗调整部的电压的电压测定部;位于上述阻抗调整部和电压测定部之间的带通滤波器;和当等离子体产生时使上述阻抗调整部的阻抗值发生改变,同时取得由上述电压测定部测定的电压值,根据该电压值,计算流入上述阳极电极的电流值,以使该电流值成为最大值或其附近的方式设定上述阻抗调整部的阻抗值的控制部。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法 存储 介质
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其具有:在处理容器内与该处理容器绝缘,且通过匹配电路与输出产生等离子体用的高频的高频电源连接的阴极电极;和与该阴极电极相对地设置且通过绝缘体与所述处理容器绝缘的阳极电极,该等离子体处理装置为在所述阴极电极和所述阳极电极中的一个电极上载置有基板,且利用高频电力使处理气体等离子体化并利用该等离子体对基板进行等离子体处理的平行平板型的等离子体处理装置,其特征在于,具有:在产生等离子体时,在载置基板一侧的电极上施加比产生等离子体用的高频的频率低的偏压用的高频的偏压用的高频电源;一端侧与所述阳极电极连接且另一端侧与所述处理容器连接,并用于控制从阴极电极经等离子体、阳极电极和处理容器的壁部到所述匹配电路的接地筐体的阻抗值的阻抗调整部;测定所述阻抗调整部的电压的电压测定部;位于所述阻抗调整部和电压测定部之间,且当令在阻抗调整部的电压,产生等离子体用的高频的频率为f1,偏压用的高频的频率为f2时,将f1作为通过频带,f1-f2和f1+f2作为衰减频带的带通滤波器;和当等离子体产生时使所述阻抗调整部的阻抗值发生改变,同时取得由所述电压测定部测定的电压值,根据该电压值,计算流入所述阳极电极的电流值,以使该电流值成为最大值或其附近的方式设定所述阻抗调整部的阻抗值的控制部。
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