[发明专利]制备用于太阳能电池的抗反射或钝化层的方法和装置无效
申请号: | 200810088068.4 | 申请日: | 2008-03-31 |
公开(公告)号: | CN101330114A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 罗兰·特拉斯里;斯万·斯拉莫;托马斯·黑格玛尼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种制备用于太阳能电池的抗反射和/或钝化涂层的方法,包括步骤:在沉积室中提供硅晶片;将所述硅晶片预加热至大于400℃的温度;通过溅射工艺沉积含氢抗反射或钝化涂层。本发明还涉及一种制造太阳能电池、优选在Si晶片上制备抗反射和/或钝化涂层的涂覆装置,所述涂覆装置优选用于进行本发明的方法,所述涂覆装置包括第一真空室(1)、第二真空室(2)和用于将衬底(5)依次传送通过所述第一和第二真空室的输送装置(4),所述第一真空室包括至少一个能够被加热以使加热丝温度为1800-3000℃的红外线辐射加热器(16),并且所述第二真空室包括用于蒸发靶材的溅射装置(12)以及用于引入含氢反应性气体的气体进口。 | ||
搜索关键词: | 制备 用于 太阳能电池 反射 钝化 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制备用于太阳能电池的抗反射和/或钝化涂层的方法,包括步骤:在沉积室(1)中提供Si晶片(5);将所述Si晶片预加热至大于400℃的温度;和通过溅射工艺沉积含氢抗反射或钝化涂层(28)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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