[发明专利]具有暗电流校正的光电探测器有效
申请号: | 200810088075.4 | 申请日: | 2008-03-31 |
公开(公告)号: | CN101276827A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 陈范显;陈吉恩;陈文杰 | 申请(专利权)人: | 安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82;G01J1/18 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本发明公开了光电探测器以及用于制造该光电探测器的方法。该光电探测器包括具有第一、第二和第三光电二极管的衬底以及第一和第二颜料滤波器层。第一、第二和第三光电二极管分别产生第一、第二和第三光电二极管输出信号,每个光电二极管输出信号表示入射到相应光电二极管上的光强度以及独立于所述光强度的暗电流。第一和第二颜料滤波器层覆盖第一和第二光电二极管,而包括第一和第二颜料滤波器层的层覆盖第三光电二极管。输出电路将第一和第三光电二极管输出信号结合来提供第一校正输出信号,并且将第二和第三光电二极管输出信号结合来提供第二校正输出信号。 | ||
搜索关键词: | 具有 电流 校正 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种光电探测器,该光探测器包括:衬底,其具有第一、第二和第三光电二极管,所述第一、第二和第三光电二极管分别产生第一、第二和第三光电二极管输出信号,每个光电二极管输出信号表示入射到相应光电二极管上的光强度;第一颜料滤波器层,其覆盖所述第一光电二极管但不覆盖所述第二光电二极管,所述第一颜料滤波器层对于第一波长频带中的光是透光的,而对于第二波长频带中的光是不透光的;第二颜料滤波器层,其覆盖所述第二光电二极管但不覆盖所述第一光电二极管,所述第二颜料滤波器层对于所述第二波长频带中光是透光的,而对于所述第一波长频带中的光是不透光的;包括所述第一和第二颜料滤波器层的层,其覆盖所述第三光电二极管;以及输出电路,其将所述第一和第三光电二极管输出信号结合来提供第一校正输出信号,并且将所述第二和第三光电二极管输出信号结合来提供第二校正输出信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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