[发明专利]用于半导体基底的清洗组合物无效
| 申请号： | 200810088110.2 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101246317A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吴爱萍 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;C11D7/32;C11D7/26;C11D7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半水基清洗组合物，用于除去半导体基底上的不需要的有机和无机残留物和污染物。该清洗组合物包含缓冲体系，该体系包含具有至少三个羧酸基团并且其pKa值为约5－约7的多元酸。该组合物也包含多羟基溶剂，诸如甘油。本发明的清洗组合物也包含氟离子源并且主要负责除去基底上的无机残留物。本发明的清洗组合物毒性低且环保。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 基底 清洗 组合 | ||
【主权项】：
1、一种用于除去半导体基底上的残留物的组合物，其包含：a、氟离子源；b、pH缓冲体系，该体系包含具有至少三个羧酸基团的多元酸和其共轭碱；c、溶剂，其具有至少一种多元醇；和d、水。
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